集成压力传感器是用标准的生产硅基半导体集成电路的工艺技术制造的。通常还将用于初步处理被测信号的部分电路也集成在同一芯片上。
薄膜压力传感器则是通过沉积在介质衬底（基板）上的，相应敏感材料的薄膜形成的。使用混合工艺时，同样可将部分电路制造在此基板上。
厚膜压力传感器是利用相应材料的浆料，涂覆在陶瓷基片上制成的，基片通常是al2o3制成的，然后进行热处理，使厚膜成形。
陶瓷压力传感器采用标准的陶瓷工艺或其某种变种工艺（溶胶-凝胶等）生产。
完成适当的预备性操作之后，已成形的元件在高温中进行烧结。厚膜和陶瓷压力传感器这二种工艺之间有许多共同特性，在某些方面，可以认为厚膜工艺是陶瓷工艺的一种变型。
每种压力传感器制造工艺技术都有自己的优点和不足。由于研究、开发和生产所需的资本投入较低，以及压力传感器参数的高稳定性等原因，采用陶瓷和厚膜传感器比较合理。
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